"VTFETはウェハの表面にtrを重ねるfinFETなどと異なり、trをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計" ── 何言ってんだか判んねえよｗｗｗ

なんかよくわからんがすごいことだけはわかる

トランジスタを垂直に積み重ねる事で
今後もチップの性能は向上し続け
ムーアの法則はしばらく維持されるらしい

CADにも手が入るのかな。既存のレイアウトツールでゲート設計するの無理そうだし。配置配線はどうするんだろ、メタル層だけ他の層から切り離しておけばなんとかなる？
いよいよ微細化限界の年になってたのも驚きだけど、これでムーア則が何年も延命できるのはなんで？

これはAppleも困るかもしれないな
だけど、TSMCからの離脱は
個人的には急務だと思うから
これは良い発表だなと思う🤔
↓

VTFET 新たな設計アプローチ。2nmのチップも。

おー、すごい。積層トランジスタか。
これ、両面配線出来るようになったりするのかな。

ITmedia:

スマートフォンのバッテリーは1回の充電で1週間以上もつようになり、宇宙船や自動運転自動車、海洋ブイなどのIoTデバイスもこの設計の恩恵を受ける可能性がある。

スマホ電池が長持ちするようになるというのは毎年聞いているような気がするww

スマホは液晶部に大きなブレイクスルーがないとバッテリ問題は難しいだろうけど、IoTなんかにはかなり大きな影響を与えそうだ。実際の生産でどこまで三星がいけるかだ。

バッテリーのブレイクスルーよりも早く省電力化の未来が拓けた？ |