メディア蚘事

IBMずSamsung、垂盎トランゞスタ蚭蚈によるブレむクスルヌを発衚 「スマホの充電は週1に」

バズる指数ピヌク 163

 twitterコメント 111件䞭 1100件
“新たな蚭蚈アプロヌチで、2021幎には厩れるず芋られおいたムヌアの法則を今埌䜕幎にもわたっお維持できるようになる可胜性があるずしおいる。”
垂盎トランゞスタ🀔
➡➡➡

--
▶ブログ【IFTTTの先ぞ】のサむトマップ目次:
うおおお、実珟はよ
HDDが垂盎磁気蚘録方匏 - Wikipedia で容量が増えたように、トランゞスタを垂盎にする事で倧きく倉わるのかな 冷华も倧䞈倫そう
「パフォヌマンスを2倍向䞊させ、゚ネルギヌ䜿甚量を85削枛する」 / 「
たた出おきたよIBM
ううむ、技術革新か
凄いなぁ。
たたにこういうのがあるから、本圓に数十幎埌はどうなっおるか、党くわからない💊
Samsungの研究開発力っおバブル厩壊や通産省の倱策で倚くの日本䌁業からリストラされた技術者を政府の支揎のもずに高埅遇で受け入れお䞀気に匷くなったんよなぁ (遠い目
-
わっしょいすごいのきたかこれはReading

昚日クロ珟で日本も囜プロはじめたしたっお芋た気がする
ムヌアの法則を維持
12月14日
ç±³IBM
Samsung Electronics
半導䜓蚭蚈の飛躍的進歩を実珟したず発衚

VTFETず呌ぶ新たな蚭蚈アプロヌチで、2021幎には厩れるず芋られおいたムヌアの法則を今埌䜕幎にもわたっお維持できるようになる可胜性
さらっず2nmっお
電力効率が䞊がっおもその分だけバッテリヌ枛らしたり芁求パワヌ氎準が䞊がったりするから充電サむクル自䜓はあんた倉わらん気はする
なるほどわからん案件だが実甚化埅っおたす
スゎい事なんじゃないの ずSamsung、垂盎トランゞスタ蚭蚈によるブレむクスルヌを発衚 「スマホの充電は週1に」
すげヌ。ムヌアの法則、ただ達成できるんだ 
同じ時間で良ければりンず小さな電池で枈む
凄そう。
発想が倩才すぎる
以前から思っおいたした。 笑
これ数幎前から研究の話題は出おたけど実甚化たであずさらに数幎か 
なんかすごい研究成果みたいだ。スマホの充電週ですず。
実甚化しおから喜ぶこずにする
これ結構倧きいニュヌスなのでは  
マゞで蚀っおる
「䟋えばスマヌトフォンのバッテリヌは1回の充電で1週間以䞊も぀ようになり、・・・」

技術の👉進展はすごいですねぇ。

期埅‌

- - - - - -
ムヌアの法則はい぀頃厩れるんだろ、厩れる頃になったらたた新たな手法出おきお延長しそう笑
ほえヌ
どうやっおCAD描いたら良いのかさっぱりわからんな /スマホの消費電力のかなりの郚分がディスプレむだから、たずそちらを䜕ずかしないず厳しいず思う。
トランゞスタ蚭蚈にブレむクスルヌ技術が発衚された。
今幎厩れるず蚀われおいたムヌアの法則が今床䜕幎にもわたっお維持できるようになるらしい。
恐るべしIBMずSamsungの技術力。
🖥巊偎のものでリング状の箇所が肝心な郚分ですが
3Dプリンタヌみたいな事が出来るのか䞍思議🀔
↓
ええすげえマゞか眠気吹き飛んだわ
ここにきおムヌアの法則が維持出来るようになるずは思わんかった 
りェアラブルぞの恩恵がデカいのでは
IBM のスピンオフはいろいろ事情もあっおすぐ売华しちゃったけど、今日は調子がいいですね🐥✚ニュヌス関係あるかな👀
実甚化はただ数幎先になりそう
日本は完党に眮いおいかれる事ずなりたしずさ。めでたしめでたし。
おお、いいね、技術のブレむクスルヌはなんか関係ないのに嬉しくなる。
これパテント取っおるんかいな。某メヌカヌが暡倣しそうだけど。
実甚化には時間が必芁 ず。
平面の限界を立䜓で突砎 ですね。技術は進歩する。
もう埮现化も限界が近づいおきたから垂盎に行くしかないか。
こっちはトランゞスタそのものを積局するのね
Apple「よし、そうか💵ずりあえず、3幎はりチ独占な」
省電力になった分を蚈算に泚ぎ蟌むだろうから電池持ちは倉わらないず思う
HDDが垂盎磁気蚘録方匏になった時のような銙りがする‥‥これっおもしかしおすごい発明なのでは
知芋ですね〜。
消費者「スマホの電池、なんですぐ死ぬん」
研究者「新技術発明したで省゚ネになったから充電は週䞀ですむやで」
開発者「お、ただ電池䜙裕あるしもっずスペック䞊げたろw」
消費者「スマホの電池、なんですぐ死ぬん」
ずいう無限ルヌプになる予感
本圓に数幎埌でも実珟できたらすごい
すげえ
垂盎は党おを解決する。HDDしかり、NANDしかり。
”「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」”
ï¿Œ ”VTFETは,りェハの衚面にトランゞスタを重ねるfinFETなどず異なり~りェハに垂盎に局状に重ね,電流を~垂盎に流す蚭蚈”
これは期埅
䜿甚゚ネルギヌ85%削枛ずんでもないブレむクスルヌだぞこれ 
䟋えばスマヌトフォンのバッテリヌは1回の充電で1週間以䞊も぀ようになり、宇宙船や自動運転自動車、海掋ブむなどのIoTデバむスもこの蚭蚈の恩恵を受ける可胜性があるず語った。りェハに垂盎に局状に重ねフォヌマンスを2倍向䞊させ、゚ネルギヌ䜿甚量を85削枛
半導䜓界隈にブレむクスルヌか
実甚化数幎埌らしいけどク゜楜しみなや぀じゃん
ムヌアの法則継続。スマホの充電が週䞀で良くなるらしい。実甚化は数幎先らしいのでiPhone18あたりにはそうなるのかな。人類すごい。
IBMが最先端半導䜓の研究開発を埩掻させおいるのか。
ハヌドはやめたず思っおいた。
「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」VTFET
人類の欲望の゚ネルギヌっおすごい
ほぉ
Intelも3D配線技術の発衚しおたな。無駄な電力消費抑えられれば発熱察策も楜になるな -
マゞでか。プロセス的に倧倉そうな感じしかしないけど実珟したらいいよね
IBM最近元気やな
FinFET蚭蚈ず比范しお、「パフォヌマンスを2倍向䞊させ、゚ネルギヌ䜿甚量を85削枛する」ずいう
倢しかないのでがんばっおほしい
なるほどわからん
『ムヌアの法則を今埌䜕幎にもわたっお維持できるようになる可胜性パフォヌマンスを2倍向䞊させ、゚ネルギヌ䜿甚量を85削枛実甚化はただ数幎先になりそうだが、IBMは5月には、2nmのノヌドチップ蚭蚈を発衚』
“米IBMは12月14日珟地時間、韓囜Samsung Electronicsず協力し、半導䜓蚭蚈の飛躍的進歩を実珟したず発衚した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」VTFETず呌ぶ新たな蚭蚈アプロヌチで、2021幎には厩れるず芋られお / “IBMずSamsung、垂盎ト ”
それたでにどうせOSずアプリが消費する電力も2倍以䞊になるんでしょ。
えぐ次䞖代ディスプレむバッテリヌも控えおるし電池持ちで悩む時代終わりそう
「パフォヌマンスを2倍向䞊させ、゚ネルギヌ䜿甚量を85削枛する」→85%枛っお凄すぎる あらゆるバッテリヌを䜿うデバむスの䜿い方に革呜が起きそう。実甚化はただ先ずの事だけど、楜しみだ。
ムヌアの法則厩壊、石油が枯れるみたいな話になっおるよな。人類の叡智だ 。
(ω)
「パフォヌマンスを2倍向䞊させ、゚ネルギヌ䜿甚量を85削枛する」←すごく期埅しちゃうけど、ちゃんず補造できるのかな。「実甚化はただ数幎先になりそう」/それたでにマむニング芏制しおおこうね。
これは気になる。
今でも週23の私なら䞋手したら半月1か月持ちそう
すごいな
ほんずうならすこい
ムヌアの法則は守られるようで胞熱>
こうなったらスマホだけじゃなくお、ただ個人的には早いんじゃねず思っおたメタバヌスもブレむクスルヌあるかも。
「実甚化はただ数幎先になりそうだが、IBMは5月には、2nmのノヌドチップ蚭蚈を発衚しおいる。」
すごい(小䞊感
アニメずかみたいにキュヌブ状のCPUみたいなんいけるかもな
バッテリの改良も限界はあるし、これは商品化したらありがたいねぇ。
本物のブレむクスルヌだ
むンテルのribbon fetもそうだが
色んな圢匏が増えおきたな
「VTFETは トランゞスタをりェハに垂盎に局状に重ね、電流をりェハ衚面に垂盎に流す蚭蚈 トランゞスタのゲヌト長、スペヌサヌの厚さ、接点サむズの物理的制玄を緩和できる」

なんで今頃この話がでおきたんだろ。
“実甚化はただ数幎先になりそうだが、” うたくいくずいいのだが
ざっくり玠人蚈算

埓来平面基盀
瞊・暪・高さが27×27×1
察角距離27√238.18

垂盎トランゞスタ蚭蚈
瞊・暪・高さ9×9×9
察角距離は9√315.59

移動コスト6割枛か、すごいね。

"
人類こわ
ムヌアの法則「もう䌑たせお」
ワむダレス充電で、家の䞭にいる限り充電䞍芁にしおください(無責任)
きた

こういうのはすごいず思う
どうなんだろう「2021幎には厩れるず芋られおいたムヌアの法則を今埌䜕幎にもわたっお維持できるようになる可胜性」「実甚化はただ数幎先」
IOWN頑匵っお欲しい
すげヌ。
凄いのでは

⇒
別に充電は二日に䞀床皋床でいいから、「ブレむクスルヌ」の方向は、バッテリヌを小さくしおスマホを軜くする方に向かっおくれよ。充電頻床よりあらゆるものが小さく軜くなる可胜性の方がむンパクト倧きいだろ。
タむトルずURLをコピヌしたした